作为专为节能型无线设备开发的射频解决方案,Si24R2F芯片整合了基带发射功能模块,其工作频谱覆盖2400MHz到2525MHz的ISM频段。该器件支持在125MHz总带宽范围内进行灵活配置,通过1MHz步进精度可划分出126个立工作信道。
特征参数
工作在2.45GHz ISM频段
内置64次可编程NVM存储器
具有低功耗自动发射功能
具有低电压自动报警功能
集成温度报警功能
具有防拆卸报警功能
集成防冲突通信机制
内置3KHz RCOSC和硬件Watchdog
3.3V编程电压
调制方式:GFSK
数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
低关断电流:1uA
低待机电流:15uA
快速启动时间:≤130uS
宽电源电压范围:2.1-3.6V
宽数字I/O电压范围:1.9-3.6V
低成本晶振:16MHz±60ppm
高发射功率:7dBm
发射电流(2Mbps): 13.5mA(0dBm)
高10MHz四线SPI接口
发射数据硬件中断输出
QFN20封装
兼容Si24R1和Si24R2发射功能
面相有源RFID市场演进需求开发的Si24R2F单芯片解决方案,通过内置2.4GHz射频发射器和自主发射控制单元,构建了完整的无线标签系统。相较前代产品,该芯片在保持500nA待机电流的同时,将射频输出增强至+12dBm,有效扩展标签识别范围。系统架构采用极简设计,外围电路仅需基础无源元件即实现稳定工作,大幅降低BOM成本。创新性的四通道数据轮发机制允许同时管理多组立数据流,结合可选的私有校验算法、异或校验及DES标准加密功能,为智能仓储、资产追踪等场景提供高容量、高安全性的射频识别方案。